1、消耗電流：即咪頭的工作電流

　　主要是FET在VSG=0時(shí)的電流，根據(jù)FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對(duì)于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下，對(duì)于工作電流就有嚴(yán)格的要求，由電原理圖可知

　　VS=VSD+ID×RL ID = （VS- VSD）/ RL

　　式中 ID FET 在VSG等于零時(shí)的電流

　　RL為負(fù)載電阻

　　VSD,即FET的S與D之間的電壓降

　　VS為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓

　　總的要求 100μA〈IDS〈500μA

　　2、靈敏度：?jiǎn)挝宦晧簭?qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。

　　單位：V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar

　　-40 dBV/Pa=-60dBV/μBar

　　0 dBV/Pa=1V/Pa

　　聲壓強(qiáng)Pa=1N/m2

　　3、9750單指向輸出阻抗：基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL（1-70[%]）之間。

　　4、方向性及頻響特性曲線：

　　a、全向： MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等，全向MIC的結(jié)構(gòu)是PCB上全部密封，因此，聲壓只有從MIC的音孔進(jìn)入，因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器。

　　頻率特性圖：

　　b、單向 單向MIC 具有方向性，如果MIC的音孔正對(duì)聲源時(shí)為0度，那么在0度時(shí)靈敏度最高，180度時(shí)靈敏度最低，在全方位上呈心型圖，單向MIC的結(jié)構(gòu)與全向MIC不同，它是在PCB上開(kāi)有一些孔，聲音可以從音孔和PCB的開(kāi)孔進(jìn)入，而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料，因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC。

　　頻率特性圖：

　　c、消噪型：是屬于壓差式MIC，它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒(méi)有吸音材料，它的方向型圖是一個(gè)8字型。

　　頻率特性：

　　5、頻率范圍：

　　全向： 50~12000Hz 20~16000Hz

　　單向：100~12000Hz 100~16000Hz

　　消噪：100~10000Hz

　　6、最大聲壓級(jí)：是指MIC的失真在3[%]時(shí)的聲壓級(jí)，聲壓級(jí)定義：20μpa=0dBSPL

　　MaxSPL為115dBSPLA SPL聲壓級(jí) A為A計(jì)權(quán)

　　7、9750單指向咪頭S/N信噪比：即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比，詳見(jiàn)產(chǎn)品手冊(cè)，噪聲主要是FET本身的噪聲。